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济南能华:讲解如何设置铝合金微弧氧化工艺参数?

时间:2023-08-09 23:28:14 点击:14015次


纯铝的起弧电压为300V当峰值电流增加到一定程度时,电压上升到300V通过观察电压的变化和工件微弧氧化过程的变化,应减缓峰值的增加,并保持峰值不变运行一段时间。纯铝微弧氧化终止电压为600V当电压在600左右时,当电压在600左右V当峰值不变时,应继续运行。600V连续运行约10分钟即可达到耐磨、硬度的一般要求。

脉宽的变化会改变平均电流,平均电流不能太大或太小,太大会造成电浪费,太小会导致膜速度减慢,微弧氧化应为每平方米5分A受电源规格限制,每平方分米的电流计算应保持在2A(电流密度越大,电弧电压越低,膜上升速度越快)所以微弧氧化可以先将平均电流加到工件所需的电流中,当电压上升到一定程度时,脉宽逐渐减小。
高硅铝的微弧氧化

起弧电压在400V终止电压约为650V平均电流按上述设置。当电压上升到400时V当峰值值的增加,保持微弧氧化一段时间,然后改变峰值,提高电压,使微弧氧化持续运行一段时间。高硅铝的微弧氧化时间一般为30分钟,可根据实际情况增加。


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